LPMOCVD相关论文
用LPMOCVD方法在P—Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C—SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化......
用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变Ⅱ/Ⅵ流量比)在300 ̄400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜。随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获......
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长......
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延......
本文报道了低压(LP)-MOCVD方法制备Cds-ZnS应多量子阱结构。通过X-射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构,并通过77K下的光致发光光谱,观测到了......
介绍了InGaAlP超高亮度发光二极管的材料.器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度橙红色、黄色和绿色发光二极管。......
用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延......
利用低压-金属有机化合物蒸汽沉积(LP_MOCVD)的方法研究在生物过程中温度和时间对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阱激光器的p-n结结位,探讨在InP材料中......
使用CO2、O2氧是到了Z nO择优取向薄膜样品,实验证实了小尺寸的交流高压离化器确实能够为低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)生长Zn......
介绍各种发光波长超高亮度发光二极管的材料,器件,特性,结构及其应用,现已发展和生产坎德垃圾的超高亮度橙红色,黄色,绿色和蓝色发光二极......